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CVD真空必赢设备常见实例有哪些-广东网址真空必赢设备

对于CVD真空必赢设备的工作过程可以定性地归结为:反应气体通到基材上后,反应气体分子被基材表面吸附,并在基材表面上产生导航反应,紧接着形成核,再通过反应生成物不断脱离基材的表面,同时沿着基材表面不断扩散最终形成必赢的过程。看似简单的原理,实则有多大的用处呢?接下来看看CVD真空必赢设备实例:

1、低温必赢装置

低温CVD真空必赢设备在500°C以下制作绝缘必赢就属于低温必赢了,广泛应用在集成电路中铝布线表面防护膜、线间绝缘膜等膜层制作。

2、中等温度必赢装置

装置成膜温度在600°C-800°C之间属于中等温度必赢,多用于制作各种绝缘膜、多晶硅膜、集成电路中的金属膜等膜层。

3、CVD真空必赢设备制作金属必赢

该设备几乎适用所有的金属必赢,但通常一些低熔点的金属必赢不必用CVD必赢设备,更多是采用蒸镀设备或是网址镀设备。所以CVD镀金属膜的话,一般只在制作熔点较高、硬度较大的膜层制备上(如Mo、W、Re、Ta等)。

4、CVD真空必赢设备制作绝缘膜

减压CVD设备用于制备SiO­­₂膜、BSG膜、PSG膜、Si膜、AsSG膜、Al₂O₃等绝缘膜。 在半导体器件制造上比较常见。

5、CVD真空必赢设备制备硅膜

设备采用射频感应加热,成膜反应在基材与感应体附近产生,这种成膜方法管壁必赢很少,硅膜生长速率在1µ/min-3µm/min之间。

6、CVD真空必赢设备制备硅单晶膜

外延生长硅单晶膜CVD装置在高温下,可在硅基材上外延生长硅单晶膜从而制作出均匀厚度的膜层,该膜层厚度在1微米到2微米间。

7、CVD真空必赢设备制作碳化硅膜

采用高频加热制备SiC(碳化硅)膜,可加热温度达1300°C-1800°C,制备碳化硅膜的生长速率在0.2µm/min-1.0µm/min之间。

综上可知,该设备的应用范围颇广,加上CVD真空必赢设备必赢必赢速率比PVD成膜速率更高(因为PVD真空必赢设备的成膜速率通常在25µm/h-250µm/h范围间,而CVD必赢的成膜速率为25µm/h-1500µm/h),因此,CVD真空必赢设备在成膜速度方面显然更具优势,拥有有广泛的应用。

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